Mecanismo de formación de vacíos
Los volátiles del fundente forman burbujas; en la soldadura por reflujo convencional, la presión interna impide que la soldadura las rellene.
industry
IPC-A-610: tasa de huecos ≤25% en procesos con plomo; hasta ≤30% lead-free;
Defensa / semiconductores: tasa de hueco unitaria ≤1 %, global ≤5 % (p. ej. módulos IGBT).
Casos de fallo
Con 20% de huecos, la Rth del MOSFET sube 6,53% y la superficie +5,2℃;
Con 79% de huecos, la Rth salta 27,18% - riesgo de rotura.
