Mécanisme de formation des vides
Les composés volatils du flux forment des bulles ; en refusion classique, la pression interne empêche la brasure de les combler.
industry
IPC-A-610 : taux de vides ≤25 % procédés plombés ; jusqu'à ≤30 % sans plomb ;
Défense / semi-conducteurs : taux de vide unitaire ≤1 %, global ≤5 % (ex. modules IGBT).
Cas de défaillance
À 20 % de vides, la résistance thermique MOSFET monte de 6,53 % et la surface de +5,2℃ ;
À 79 % de vides, la Rth bondit de 27,18 % - risque de rupture.
